▶ 3 차원 낸드 플래쉬 메모리 (3D NAND FLASH MEMORY), 10-2023-0184535, 2023.
▶ 3차원 낸드 플래쉬 메모리 및 이의 제조방법 (3D NAND FLASH MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THERE OF), 10-2023-0184485, 2023.
▶ 비정질 실리콘 결정화 방법 및 상기 방법을 통해 제조된 낸드 플래시 메모리(Amorphous Silicon Crystallization Method and NAND Flash Memory Manufactured Through the Method), 10-2023-0034592, 2023.
▶ 게이트 스택 형성 방법 및 상기 방법을 통해 제조된 낸드 플래시 메모리(Gate Stack Formation Method and NAND Flash Memory Manufactured Through the Method), 10-2023-0034595, 2023.
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▶ 메모리 장치 및 이의 동작 방법(Memory device and method of operating the same), 1020190091216, 2019
▶ 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPERATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE), 1020190068167, 2019
▶ 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법(SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF), 1020190140458, 2019
▶ 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법(SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF), 1020160037530, 2016
▶ NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND MOSFET USING GRAPHENE GATE ELECTRODE, US patent, 13,342,282, 2012
▶ 반도체 장치의 박막 형성 방법(METHOD FOR FABRICATING THIN FILM IN SEMICONDUCTOR DEVICE), 1020110068442, 2011
▶ 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법(NON-VILATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME), 1020100013637, 2010
